虽然这种方法是cvd法的鼻祖,但是现在使用的仍然非常普遍,而且发展成沉积金刚石薄膜较为成熟的方法之一。
这种方法需要在衬底上方设置金属热丝,常用的像钨丝、钽丝。
再将含碳气体高温加热到20002200c,进行分解,形成活性粒子。
在氢原子作用下,就会在衬底上沉积而形成金刚石。
这种方法,虽然简单,但是沉积效率很低,比四十三所现在用的方法要低很多。
不仅如此,而且工艺稳定性差,容易造成污染。
虽然文献中还提了两种改良的方法,但是陈舟同样不认同。
因为效率是提高了,但是金刚石薄膜的质量,还是太低。
对于金刚石半导体材料和器件的研究,显然不适用。
但是,改良方法,陈舟觉得可以一试。
一种是反应气体分送的hfcvd法,也就是把碳源气体和氢气由热丝的下方和上方分别送入。
另一种是电子助进的hfcvd法,通过给衬底加大约150v的偏压,实现沉积速率的提升。
陈舟看文献的速度很快,即使是一边看一边记的情况,他的效率也远远超过了其他人。
这也得益于他系统学科升级所提供的加成。
在来之前,他把化学也悄悄的升到了lv2,以备不时之需。
所以,有了化学学科等级的加成,陈舟疯狂的汲取着相关的化学知识。
和学数学物理不同的是,陈舟不打算用同样的方法去学化学和生物。
化学和生物这两门更偏向于实验和应用的学科,陈舟打算从实验和应用入手。
借助学科等级的加成,以高效的学习,从实验和应用中去找未知。
再通过查资料去弥补那个未知。
这样虽然没有数学和物理学的系统,但是效率却很高。
而且很适用于现在的陈舟。
把hfcvd法的文献看了三篇后,陈舟觉得大致的思路都差不多,便不再这个方法再做纠缠。
转而,他开始看下一种方法,燃烧火焰沉积法(flame
这种方法最早也是由日国学者提出的,只不过是在大西洋彼岸实验室得到证实的。
这种方法主要就是将碳源气和氧气混合,在大气中燃烧。
燃烧的火焰分三个区,除了内焰和外焰外,还有一层还原焰。
将衬底放置在火焰的还原焰区域,生成金刚石。
这种方法的关键就是乙炔和氧气的混合比例r。
只有在r=0.7~1.0
区域时,才能生长成金刚石。
其他区域都不利于金刚石的生长。
陈舟微微皱眉看着写下的这个区间。
他从文献中看到,当r=0.97~1.0
时,这种方法可以制备出透明的光学级金刚石薄膜。
习惯性的拿笔点了点草稿纸,陈舟暂时略过了这条信息,继续往下看文献。
这种方法的优点是设备简单、成本低,能在大气中合成金刚石,生长速度快(60~150um/h),有利于大面积和复杂形状样品表面上金刚石的沉积。
其缺点是:沉积的金刚石薄膜具有不均匀的微观结构,薄膜常含非金刚石碳等不纯物,由于火焰的热梯度,易使衬底发生弯曲变形,并在薄膜中产生较大的热应力。
“优缺点很明显的一种方法。”陈舟点评道。
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